SI5402DC-T1-GE3
Buy with confidence from
Suntronic.org
SI5402DC-T1-GE3 is warrantied and traceable.
SI5402DC-T1-GE3
| nhà chế tạo | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Sự miêu tả | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Thể loại | Sản phẩm bán dẫn rời |
| Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS | Không có chì / tuân thủ RoHS |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp | 1206-8 ChipFET™ |
| Loạt | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Điện cực phân tán (Max) | 1.3W (Ta) |
| Bao bì | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Loại FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss) | 30V |
| miêu tả cụ thể | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| RFQ | |
Yêu cầu báo giá
Sản phẩm liên quan của SI5402DC-T1-GE3
-
Hình ảnhSố PhầnNhà sản xuất củaSự miêu tảLượt xem -
SI5414DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 6A 1206-8RFQ -
SI5411EDU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFETRFQ -
SI5406DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8RFQ -
SI5401DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8RFQ -
SI5406CDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6A 1206-8RFQ -
SI5401DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8RFQ -
SI5397M-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5403DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 30V 6A 1206-8RFQ -
SI5410DU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFETRFQ -
SI5397J-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5406DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8RFQ -
SI5402DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8RFQ -
SI5397L-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5397D-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5402BDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8RFQ -
SI5404BDC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8RFQ -
SI5402BDC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8RFQ -
SI5404BDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8RFQ -
SI5415AEDU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 25A CHIPFETRFQ -
SI5397K-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ
Giới thiệu về SI5402DC-T1-GE3
Chúng tôi có thể cung cấp SI5402DC-T1-GE3, sử dụng biểu mẫu trích dẫn yêu cầu để yêu cầu SI5402DC-T1-GE3 Pirce và Dẫn thời gian.Với hơn 3 triệu mặt hàng của các thành phần điện tử có sẵn có thể vận chuyển trong thời gian dẫn đầu ngắn, hơn 250 nghìn số phần của các thành phần điện tử trong kho để giao hàng ngay lập tức, có thể bao gồm số phần SI5402DC-T1-GE3. Giá và thời gian dẫn cho SI5402DC-T1-GE3 tùy thuộc vào số lượngYêu cầu, tính khả dụng và vị trí kho. Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay và đại diện bán hàng của chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn giá và giao hàng trên Phần# SI5402DC-T1-GE3. Chúng tôi mong muốn được làm việc với bạn để thiết lập quan hệ hợp tác lâu dài
Từ khoá của SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Bảng dữ liệu SI5402DC-T1-GE3
- Biểu dữ liệu SI5402DC-T1-GE3
- Biểu dữ liệu PDF SI5402DC-T1-GE3
- Tải xuống biểu dữ liệu SI5402DC-T1-GE3
- Hình ảnh SI5402DC-T1-GE3
- Phần SI5402DC-T1-GE3
- EFI Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Phoenix Passive Components / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Vishay Electro-Films SI5402DC-T1-GE3