SI5402DC-T1-GE3
Buy with confidence from
Suntronic.org
SI5402DC-T1-GE3 is warrantied and traceable.
SI5402DC-T1-GE3
| Proizvajalec | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Opis | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Kategorija | Diskretnih polprevodniških proizvodov |
| Status svobodnega statusa / RoHS | Brez svinca / RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tehnologija | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket naprave za dobavitelja | 1206-8 ChipFET™ |
| Serija | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Odmik moči (maks.) | 1.3W (Ta) |
| Pakiranje | Tape & Reel (TR) |
| Paket / primer | 8-SMD, Flat Lead |
| delovna temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tip montaže | Surface Mount |
| Raven občutljivosti na vlago (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status svobodnega statusa / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vrsta FET | N-Channel |
| Funkcija FET | - |
| Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena) | 4.5V, 10V |
| Izpusti do izvorne napetosti (Vdss) | 30V |
| natančen opis | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| RFQ | |
Zahtevaj ponudbo
Sorodni izdelki SI5402DC-T1-GE3
-
SlikaŠtevilka delaProizvajalciOpisPogled -
SI5414DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 6A 1206-8RFQ -
SI5411EDU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFETRFQ -
SI5406DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8RFQ -
SI5401DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8RFQ -
SI5406CDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6A 1206-8RFQ -
SI5401DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8RFQ -
SI5397M-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5403DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 30V 6A 1206-8RFQ -
SI5410DU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFETRFQ -
SI5397J-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5406DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8RFQ -
SI5402DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8RFQ -
SI5397L-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5397D-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5402BDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8RFQ -
SI5404BDC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8RFQ -
SI5402BDC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8RFQ -
SI5404BDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8RFQ -
SI5415AEDU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 25A CHIPFETRFQ -
SI5397K-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ
Predstavi SI5402DC-T1-GE3
Lahko ponudimo SI5402DC-T1-GE3, uporabimo obrazec za ponudbo zahteve, da zahtevamo SI5402DC-T1-GE3 PIRCE in vodilni čas.suntronic.org Profesionalni elektronski distributer komponent.S 3+ milijoni linijskih elementov razpoložljivih elektronskih komponent lahko pošiljajo v kratkem času, več kot 250 tisoč delov elektronskih komponent na zalogi za takojšnjo dostavo, kar lahko vključuje številko dela SI5402DC-T1-GE3. Cena in čas vodilnega časa za SI5402DC-T1-GE3, odvisno od količineZahtevano, razpoložljivost in lokacija skladišča. Nasprotujte nam danes in naš prodajni zastopnik vam bo zagotovil ceno in dostavo na delu# SI5402DC-T1-GE3. Veselimo se sodelovanja z vami, da vzpostavimo dolgoročne odnose o sodelovanju
Ključne besede SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Podatkovni list SI5402DC-T1-GE3
- Podatkovni list SI5402DC-T1-GE3
- SI5402DC-T1-GE3 PDF podatkovni list
- Prenesite podatkovni list SI5402DC-T1-GE3
- Slika SI5402DC-T1-GE3
- SI5402DC-T1-GE3 del
- EFI Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Phoenix Passive Components / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Vishay Electro-Films SI5402DC-T1-GE3