SI5402DC-T1-GE3
Buy with confidence from
Suntronic.org
SI5402DC-T1-GE3 is warrantied and traceable.
SI5402DC-T1-GE3
| Виробник | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Опис | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Категорія | Дискретні напівпровідникові продукти |
| Статус безкоштовного статусу / RoHS | Без свинцю / RoHS відповідність |
| Vgs (th) (Макс.) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| Технологія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет пристрою постачальника | 1206-8 ChipFET™ |
| Серія | TrenchFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Розсіювання живлення (макс.) | 1.3W (Ta) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Пакет / Корпус | 8-SMD, Flat Lead |
| Робоча температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажу | Surface Mount |
| Рівень чутливості вологи (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус безкоштовного статусу / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| Особливість FET | - |
| Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на) | 4.5V, 10V |
| Водовідведення до джерела напруги (Vdss) | 30V |
| Детальний опис | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| RFQ | |
Запити котирування
Супутні товари SI5402DC-T1-GE3
-
ЗображенняНомер частиниВиробникиОписВид -
SI5414DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 6A 1206-8RFQ -
SI5411EDU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFETRFQ -
SI5406DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8RFQ -
SI5401DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8RFQ -
SI5406CDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6A 1206-8RFQ -
SI5401DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8RFQ -
SI5397M-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5403DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 30V 6A 1206-8RFQ -
SI5410DU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFETRFQ -
SI5397J-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5406DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8RFQ -
SI5402DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8RFQ -
SI5397L-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5397D-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5402BDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8RFQ -
SI5404BDC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8RFQ -
SI5402BDC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8RFQ -
SI5404BDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8RFQ -
SI5415AEDU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 25A CHIPFETRFQ -
SI5397K-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ
Введіть SI5402DC-T1-GE3
Ми можемо поставити SI5402DC-T1-GE3, використовувати форму пропозиції запитів, щоб запитати SI5402DC-T1-GE3 PIRCE та TIME.З 3+ мільйонами рядків наявних електронних компонентів можуть доставляти в короткий час, понад 250 тисяч частин кількості електронних компонентів на складі для негайної доставки, які можуть включати номер частини SI5402DC-T1-GE3. Ціна та час виконання SI5402DC-T1-GE3 залежно від кількостіНеобхідна, доступність та місцезнаходження складу. Управляйте нас сьогодні, і наш торговий представник забезпечить вам ціну та доставку на частині № SI5402DC-T1-GE3. Ми з нетерпінням чекаємо співпраці з вами, щоб встановити довгострокові відносини співпраці
Ключові слова SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Аркуш даних SI5402DC-T1-GE3
- SI5402DC-T1-GE3 -таблиця SI5402DC-T1-GE3
- SI5402DC-T1-GE3 PDF -таблиця
- Завантажте таблицю SI5402DC-T1-GE3
- Зображення SI5402DC-T1-GE3
- SI5402DC-T1-GE3 Частина
- EFI Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Phoenix Passive Components / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Vishay Electro-Films SI5402DC-T1-GE3