SI5402DC-T1-GE3
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SI5402DC-T1-GE3
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| RFQ | |
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