SI5402DC-T1-GE3
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SI5402DC-T1-GE3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.3W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| RFQ | |
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