SI5402DC-T1-GE3
Buy with confidence from
Suntronic.org
SI5402DC-T1-GE3 is warrantied and traceable.
SI5402DC-T1-GE3
| Gyártó | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Leírás | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Kategória | Diszkrét félvezető termékek |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot | Ólommentes / RoHS megfelelő |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag | 1206-8 ChipFET™ |
| Sorozat | TrenchFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max) | 1.3W (Ta) |
| Csomagolás | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok | 8-SMD, Flat Lead |
| Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| FET típus | N-Channel |
| FET funkció | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss) | 30V |
| Részletes leírás | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| RFQ | |
Ajánlatkérés
Kapcsolódó termékek SI5402DC-T1-GE3
-
KépCikkszámGyártókLeírásKilátás -
SI5414DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 6A 1206-8ajánlatkérés -
SI5411EDU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFETajánlatkérés -
SI5406DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8ajánlatkérés -
SI5401DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8ajánlatkérés -
SI5406CDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6A 1206-8ajánlatkérés -
SI5401DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8ajánlatkérés -
SI5397M-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHajánlatkérés -
SI5403DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 30V 6A 1206-8ajánlatkérés -
SI5410DU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFETajánlatkérés -
SI5397J-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHajánlatkérés -
SI5406DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8ajánlatkérés -
SI5402DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8ajánlatkérés -
SI5397L-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHajánlatkérés -
SI5397D-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHajánlatkérés -
SI5402BDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8ajánlatkérés -
SI5404BDC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8ajánlatkérés -
SI5402BDC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8ajánlatkérés -
SI5404BDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8ajánlatkérés -
SI5415AEDU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 25A CHIPFETajánlatkérés -
SI5397K-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHajánlatkérés
Az SI5402DC-T1-GE3 bemutatása
Szolgálhatunk SI5402DC-T1-GE3-t, felhasználhatjuk az SI5402DC-T1-GE3 PIRCE és az átfutási idő kérésére.A rendelkezésre álló elektronikus alkatrészek 3+ millió soros tételével rövid átfutási idő alatt szállíthat, több mint 250 ezer alkatrész-számú elektronikus alkatrész-számú raktáron található, amely tartalmazza az SI5402DC-T1-GE3 cikkszámot. Az SI5402DC-T1-GE3 ára és átfutási ideje a mennyiségtől függőenszükséges, a rendelkezésre állás és a raktárhely.
SI5402DC-T1-GE3 kulcsszavak
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- SI5402DC-T1-GE3 adatlap
- SI5402DC-T1-GE3 adatlap
- SI5402DC-T1-GE3 PDF adatlap
- Töltse le az SI5402DC-T1-GE3 adatlapot
- SI5402DC-T1-GE3 kép
- SI5402DC-T1-GE3 rész
- EFI Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Phoenix Passive Components / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Vishay Electro-Films SI5402DC-T1-GE3