SI5402DC-T1-GE3
Buy with confidence from
Suntronic.org
SI5402DC-T1-GE3 is warrantied and traceable.
SI5402DC-T1-GE3
| Producent | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Opis | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | 1206-8 ChipFET™ |
| Seria | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Strata mocy (max) | 1.3W (Ta) |
| Opakowania | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 30V |
| szczegółowy opis | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| RFQ | |
Zgłoś żądanie
Powiązane produkty SI5402DC-T1-GE3
-
ObrazPart NumberProducenciOpisWidok -
SI5414DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 6A 1206-8RFQ -
SI5411EDU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFETRFQ -
SI5406DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8RFQ -
SI5401DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8RFQ -
SI5406CDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6A 1206-8RFQ -
SI5401DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8RFQ -
SI5397M-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5403DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 30V 6A 1206-8RFQ -
SI5410DU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFETRFQ -
SI5397J-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5406DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8RFQ -
SI5402DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8RFQ -
SI5397L-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5397D-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ -
SI5402BDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8RFQ -
SI5404BDC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8RFQ -
SI5402BDC-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8RFQ -
SI5404BDC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8RFQ -
SI5415AEDU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayMOSFET P-CH 20V 25A CHIPFETRFQ -
SI5397K-A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITHRFQ
Wprowadzenie SI5402DC-T1-GE3
Możemy dostarczyć SI5402DC-T1-GE3, użyć formularza żądania, aby poprosić SI5402DC-T1-GE3 Pirce i Time Time.Suntronic.org profesjonalnego dystrybutora komponentów elektronicznych.Z 3+ milionami pozycji dostępnych komponentów elektronicznych może wysłać w krótkim czasie, ponad 250 tysięcy części elementów elektronicznych komponentów w magazynie do natychmiastowej dostawy, co może obejmować numer części SI5402DC-T1-GE3. Cena i czas realizacji SI5402DC-T1-GE3 w zależności od ilościWymagana, dostępność i lokalizacja magazynowa. Włącz nas dzisiaj, a nasz przedstawiciel handlowy zapewni Ci cenę i dostawę w części# SI5402DC-T1-GE3. Z niecierpliwością czekamy na współpracę z Tobą w celu ustalenia długoterminowych relacji współpracy
Słowa kluczowe SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Arkusz danych SI5402DC-T1-GE3
- Arkusz danych SI5402DC-T1-GE3
- Arkusz danych SI5402DC-T1-GE3 PDF
- Pobierz arkusz danych SI5402DC-T1-GE3
- Obraz SI5402DC-T1-GE3
- Część SI5402DC-T1-GE3
- EFI Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Electro-Films (EFI) / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Phoenix Passive Components / Vishay SI5402DC-T1-GE3
- Vishay Electro-Films SI5402DC-T1-GE3