言語を選択してください

EnglishDeutschFrançaisрусский한국의ItaliaNederlandespañolPortuguêsMagyarországDanskΕλλάδαpolskiPilipinoČeštinaTiếng ViệtMelayuMaoriSvenskaSuomiУкраїнаromânescSlovenija
お問い合わせ |
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay

Buy with confidence from

Suntronic.org

SI5402DC-T1-GE3 is warrantied and traceable.

SI5402DC-T1-GE3

メーカーElectro-Films (EFI) / Vishay
説明MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA (Min)
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 35 mOhm @ 4.9A, 10V
電力消費（最大） 1.3W (Ta)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 20nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
詳細な説明 N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4.9A (Ta)

SI5402DC

RFQ

クイックお問い合わせ

モデル
数量
連絡先
会社
Eメール
備考

SI5402DC-T1-GE3関連の発表

SI5402DC-T1-GE3を提供し、リクエスト見積フォームを使用してSI5402DC-T1-GE3 PirceとLead Time.suntronic.orgをプロの電子コンポーネントディストリビューターにリクエストできます。利用可能な電子コンポーネントの300万回のラインアイテムは、すぐに配達するために短いリードタイム、250万部の電子コンポーネントを在庫に出荷できます。必要、可用性、倉庫の場所。今日私たちに接触してください、そして当社の営業担当者はパート＃SI5402DC-T1-GE3で価格と配達を提供します。

SI5402DC-T1-GE3の関連用語

著作権©2023電子コンポーネントの信頼できるディストリビューター-Suntronic.org