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SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI5402DC-T1-GE3

제조사Electro-Films (EFI) / Vishay
기술MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 250µA (Min)
Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 1206-8 ChipFET™
연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 35 mOhm @ 4.9A, 10V
전력 소비 (최대) 1.3W (Ta)
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.9A (Ta)

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