SI5402DC-T1-GE3
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SI5402DC-T1-GE3
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| RFQ | |
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