SI5402DC-T1-GE3
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SI5402DC-T1-GE3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descrição | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 1206-8 ChipFET™ |
| Série | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 1.3W (Ta) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 8-SMD, Flat Lead |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V |
| Descrição detalhada | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| RFQ | |
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