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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > NSVMUN5336DW1T1G

NSVMUN5336DW1T1G

NSVMUN5336DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVMUN5336DW1T1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescriçãoCOMPLEMENTARY DIGITAL TRA
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Série Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base do Emissor (R2) 100 kOhms
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Power - Max 187mW
Caixa / Gabinete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de montagem Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante 40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição -
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

MUN5336DW1, NSBC115EPDXV6

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:16775
  • 1 pcs$0.134
  • 200 pcs$0.052
  • 500 pcs$0.05
  • 1000 pcs$0.049

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