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NSVMUN5336DW1T1G

NSVMUN5336DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVMUN5336DW1T1G

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363
シリーズ Automotive, AEC-Q101
抵抗器ベース（R2） 100 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 100 kOhms
電力 - 最大 187mW
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
装着タイプ Surface Mount
メーカーの標準リードタイム 40 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション -
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 80 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA

MUN5336DW1, NSBC115EPDXV6

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:16775
  • 1 pcs$0.134
  • 200 pcs$0.052
  • 500 pcs$0.05
  • 1000 pcs$0.049

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