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NSVMUN5336DW1T1G

NSVMUN5336DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVMUN5336DW1T1G

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneCOMPLEMENTARY DIGITAL TRA
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Potenza - Max 187mW
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo montaggio Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard 40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

MUN5336DW1, NSBC115EPDXV6

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:16775
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