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집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 > NSVMUN5336DW1T1G

NSVMUN5336DW1T1G

NSVMUN5336DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVMUN5336DW1T1G

제조사AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 300µA, 10mA
트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363
연속 Automotive, AEC-Q101
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 100 kOhms
저항기 -베이스 (R1) 100 kOhms
전력 - 최대 187mW
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
실장 형 Surface Mount
제조업체 표준 리드 타임 40 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 -
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 80 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

MUN5336DW1, NSBC115EPDXV6

RFQ

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품:16775
  • 1 pcs$0.134
  • 200 pcs$0.052
  • 500 pcs$0.05
  • 1000 pcs$0.049

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