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NSVMUN5336DW1T1G

NSVMUN5336DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVMUN5336DW1T1G

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungCOMPLEMENTARY DIGITAL TRA
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms
Leistung - max 187mW
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Befestigungsart Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit 40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

MUN5336DW1, NSBC115EPDXV6

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:16775
  • 1 pcs$0.134
  • 200 pcs$0.052
  • 500 pcs$0.05
  • 1000 pcs$0.049

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