NSVMUN5336DW1T1G
NSVMUN5336DW1T1G
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | COMPLEMENTARY DIGITAL TRA |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Séries | Automotive, AEC-Q101 |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 100 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
Puissance - Max | 187mW |
Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Type de montage | Surface Mount |
Délai de livraison standard du fabricant | 40 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | - |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
RFQ |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$0.134
- 200 pcs$0.052
- 500 pcs$0.05
- 1000 pcs$0.049
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