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NSVMUN5336DW1T1G

NSVMUN5336DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVMUN5336DW1T1G

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionCOMPLEMENTARY DIGITAL TRA
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 100 kOhms
Résistance - Base (R1) 100 kOhms
Puissance - Max 187mW
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant 40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition -
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

MUN5336DW1, NSBC115EPDXV6

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:16775
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