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NSVMUN5336DW1T1G

NSVMUN5336DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVMUN5336DW1T1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónCOMPLEMENTARY DIGITAL TRA
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base del emisor (R2) 100 kOhms
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Potencia - Max 187mW
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de montaje Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante 40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición -
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

MUN5336DW1, NSBC115EPDXV6

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:16775
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