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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSBA115EDXV6T1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescriçãoTRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-563
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 100 kOhms
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Power - Max 500mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-563, SOT-666
Outros nomes NSBA115EDXV6T1G-ND
NSBA115EDXV6T1GOSTR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 5 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição -
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA
Número da peça base NSBA1*

MUN5136DW1, NSBA115EDXV6

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:71507
  • 4000 pcs$0.13

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