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NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSBA115EDXV6T1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónTRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo SOT-563
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 100 kOhms
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Potencia - Max 500mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666
Otros nombres NSBA115EDXV6T1G-ND
NSBA115EDXV6T1GOSTR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 5 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición -
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base NSBA1*

MUN5136DW1, NSBA115EDXV6

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:71507
  • 4000 pcs$0.13

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