NSBA115EDXV6T1G
NSBA115EDXV6T1G
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-563 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Leistung - max | 500mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen | NSBA115EDXV6T1G-ND NSBA115EDXV6T1GOSTR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 5 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | NSBA1* |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 4000 pcs$0.13
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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