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NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSBA115EDXV6T1G

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungTRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SOT-563
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms
Leistung - max 500mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen NSBA115EDXV6T1G-ND
NSBA115EDXV6T1GOSTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 5 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer NSBA1*

MUN5136DW1, NSBA115EDXV6

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:71507
  • 4000 pcs$0.13

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