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NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSBA115EDXV6T1G

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionTRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur SOT-563
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 100 kOhms
Résistance - Base (R1) 100 kOhms
Puissance - Max 500mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666
Autres noms NSBA115EDXV6T1G-ND
NSBA115EDXV6T1GOSTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition -
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base NSBA1*

MUN5136DW1, NSBA115EDXV6

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:71507
  • 4000 pcs$0.13

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