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NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSBA115EDXV6T1G

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneTRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Potenza - Max 500mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666
Altri nomi NSBA115EDXV6T1G-ND
NSBA115EDXV6T1GOSTR
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 5 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
Numero di parte base NSBA1*

MUN5136DW1, NSBA115EDXV6

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:71507
  • 4000 pcs$0.13

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