NSBA114EDXV6T5G
NSBA114EDXV6T5G
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrição | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tipo transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-563 |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Power - Max | 500mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SOT-563, SOT-666 |
Outros nomes | NSBA114EDXV6T5GOS |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição | - |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Número da peça base | NSBA1* |
RFQ |
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