NSBA114EDXV6T5G
NSBA114EDXV6T5G
メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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説明 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 250mV @ 300µA, 10mA |
トランジスタ型式 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 10 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 10 kOhms |
電力 - 最大 | 500mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
他の名前 | NSBA114EDXV6T5GOS |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | - |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 35 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
ベース部品番号 | NSBA1* |
RFQ |
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