APTM100DDA35T3G
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APTM100DDA35T3G
제조사 | Microsemi |
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기술 | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 |
범주 | 이산 반도체 제품 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 2.5mA |
제조업체 장치 패키지 | SP3 |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 420 mOhm @ 11A, 10V |
전력 - 최대 | 390W |
포장 | Bulk |
패키지 / 케이스 | SP3 |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Chassis Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5200pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 186nC @ 10V |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징 | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1000V (1kV) |
상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 22A |
RFQ |
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