APTM100DDA35T3G
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APTM100DDA35T3G
| Fabricant | Microsemi |
|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Package composant fournisseur | SP3 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 11A, 10V |
| Puissance - Max | 390W |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | SP3 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Standard |
| Tension drain-source (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 22A |
| RFQ | |
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