APTM100DDA35T3G
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APTM100DDA35T3G
メーカー | Microsemi |
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説明 | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 2.5mA |
サプライヤデバイスパッケージ | SP3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 420 mOhm @ 11A, 10V |
電力 - 最大 | 390W |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | SP3 |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Chassis Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5200pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 186nC @ 10V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長 | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000V (1kV) |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 22A |
RFQ |
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