APTM100DDA35T3G
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APTM100DDA35T3G
| Fabricante | Microsemi |
|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 2.5mA |
| Paquete del dispositivo | SP3 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 420 mOhm @ 11A, 10V |
| Potencia - Max | 390W |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | SP3 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1000V (1kV) |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 22A |
| RFQ | |
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Introducción de APTM100DDA35T3G
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