APTM100DDA35T3G
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APTM100DDA35T3G
| fabbricante | Microsemi |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 2.5mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP3 |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 420 mOhm @ 11A, 10V |
| Potenza - Max | 390W |
| imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | SP3 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 22A |
| RFQ | |
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