APTM100DDA35T3G
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APTM100DDA35T3G
| Hersteller | Microsemi |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Supplier Device-Gehäuse | SP3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 11A, 10V |
| Leistung - max | 390W |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SP3 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V (1kV) |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 22A |
| RFQ | |
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Einführung von APTM100DDA35T3G
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