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TSM60NB099CF C0G

TSM60NB099CF C0G
TSC (Taiwan Semiconductor)

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TSM60NB099CF C0G

FabricanteTSC (Taiwan Semiconductor)
DescriçãoMOSFET N-CH 600V 38A ITO220S
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor ITO-220S
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 99 mOhm @ 5.3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 69W (Tc)
Caixa / Gabinete TO-220-3 Full Pack
Outros nomes TSM60NB099CF C0G-ND
TSM60NB099CFC0G
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 14 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2587pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600V
Descrição detalhada N-Channel 600V 38A (Tc) 69W (Tc) Through Hole ITO-220S
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)

TSM60NB099CF

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:8191
  • 1 pcs$5.582
  • 10 pcs$4.98
  • 100 pcs$4.084
  • 500 pcs$3.307
  • 1000 pcs$2.789

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