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TSM60NB099CF C0G

TSM60NB099CF C0G
TSC (Taiwan Semiconductor)

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TSM60NB099CF C0G

FabricantTSC (Taiwan Semiconductor)
La descriptionMOSFET N-CH 600V 38A ITO220S
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur ITO-220S
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 5.3A, 10V
Dissipation de puissance (max) 69W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms TSM60NB099CF C0G-ND
TSM60NB099CFC0G
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2587pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 38A (Tc) 69W (Tc) Through Hole ITO-220S
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)

TSM60NB099CF

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:8191
  • 1 pcs$5.582
  • 10 pcs$4.98
  • 100 pcs$4.084
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  • 1000 pcs$2.789

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