TSM60NB099CF C0G
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TSM60NB099CF C0G
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 38A ITO220S |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | ITO-220S |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 99 mOhm @ 5.3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 69W (Tc) |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres | TSM60NB099CF C0G-ND TSM60NB099CFC0G |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2587pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | N-Channel 600V 38A (Tc) 69W (Tc) Through Hole ITO-220S |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$5.582
- 10 pcs$4.98
- 100 pcs$4.084
- 500 pcs$3.307
- 1000 pcs$2.789
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Introducción de TSM60NB099CF C0G
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