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TSM60NB099CF C0G

TSM60NB099CF C0G
TSC (Taiwan Semiconductor)

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TSM60NB099CF C0G

fabbricanteTSC (Taiwan Semiconductor)
DescrizioneMOSFET N-CH 600V 38A ITO220S
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore ITO-220S
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 99 mOhm @ 5.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 69W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi TSM60NB099CF C0G-ND
TSM60NB099CFC0G
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2587pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 38A (Tc) 69W (Tc) Through Hole ITO-220S
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)

TSM60NB099CF

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:8191
  • 1 pcs$5.582
  • 10 pcs$4.98
  • 100 pcs$4.084
  • 500 pcs$3.307
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