TSM60NB099CF C0G
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TSM60NB099CF C0G
| 제조사 | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 38A ITO220S |
| 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | ITO-220S |
| 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 99 mOhm @ 5.3A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 69W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
| 다른 이름들 | TSM60NB099CF C0G-ND TSM60NB099CFC0G |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 14 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2587pF @ 100V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V |
| 상세 설명 | N-Channel 600V 38A (Tc) 69W (Tc) Through Hole ITO-220S |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 38A (Tc) |
| RFQ | |
참고 가격 (미국 달러 기준)
유품:8191
- 1 pcs$5.582
- 10 pcs$4.98
- 100 pcs$4.084
- 500 pcs$3.307
- 1000 pcs$2.789
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