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TSM60NB099CF C0G

TSM60NB099CF C0G
TSC (Taiwan Semiconductor)

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TSM60NB099CF C0G

HerstellerTSC (Taiwan Semiconductor)
BeschreibungMOSFET N-CH 600V 38A ITO220S
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse ITO-220S
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 5.3A, 10V
Verlustleistung (max) 69W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack
Andere Namen TSM60NB099CF C0G-ND
TSM60NB099CFC0G
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2587pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 38A (Tc) 69W (Tc) Through Hole ITO-220S
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)

TSM60NB099CF

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:8191
  • 1 pcs$5.582
  • 10 pcs$4.98
  • 100 pcs$4.084
  • 500 pcs$3.307
  • 1000 pcs$2.789

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