SI2307BDS-T1-GE3
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SI2307BDS-T1-GE3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descrição | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
| Série | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 78 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 750mW (Ta) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes | SI2307BDS-T1-GE3-ND SI2307BDS-T1-GE3TR |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 33 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V |
| Descrição detalhada | P-Channel 30V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| RFQ | |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 5 pcs$0.096
- 50 pcs$0.079
- 150 pcs$0.07
- 500 pcs$0.064
- 3000 pcs$0.056
- 6000 pcs$0.054
Os preços acima são exclusivos de impostos e taxas de remessa. O preço exato está sujeito à oferta final
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