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SI2307BDS-T1-GE3

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SI2307BDS-T1-GE3

メーカーElectro-Films (EFI) / Vishay
説明MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 78 mOhm @ 3.2A, 10V
電力消費（最大） 750mW (Ta)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前 SI2307BDS-T1-GE3-ND
SI2307BDS-T1-GE3TR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 33 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 380pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 15nC @ 10V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
詳細な説明 P-Channel 30V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.5A (Ta)

SI2307BDS

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:47909
  • 5 pcs$0.096
  • 50 pcs$0.079
  • 150 pcs$0.07
  • 500 pcs$0.064
  • 3000 pcs$0.056
  • 6000 pcs$0.054

上記の価格には税金と貨物は含まれておらず、特定の価格は最終オファーの対象となります。

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