SI2307BDS-T1-GE3
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SI2307BDS-T1-GE3
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 78 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | SI2307BDS-T1-GE3-ND SI2307BDS-T1-GE3TR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 5 pcs$0.096
- 50 pcs$0.079
- 150 pcs$0.07
- 500 pcs$0.064
- 3000 pcs$0.056
- 6000 pcs$0.054
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