SI2307BDS-T1-GE3
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SI2307BDS-T1-GE3
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 750mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms | SI2307BDS-T1-GE3-ND SI2307BDS-T1-GE3TR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 33 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | P-Channel 30V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 5 pcs$0.096
- 50 pcs$0.079
- 150 pcs$0.07
- 500 pcs$0.064
- 3000 pcs$0.056
- 6000 pcs$0.054
Les prix ci-dessus sont exclusifs des taxes et des frais d'expédition. Le prix exact est soumis à l'offre finale
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