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SI2307BDS-T1-GE3

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SI2307BDS-T1-GE3

HerstellerElectro-Films (EFI) / Vishay
BeschreibungMOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (max) 750mW (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen SI2307BDS-T1-GE3-ND
SI2307BDS-T1-GE3TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
detaillierte Beschreibung P-Channel 30V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta)

SI2307BDS

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:47909
  • 5 pcs$0.096
  • 50 pcs$0.079
  • 150 pcs$0.07
  • 500 pcs$0.064
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Einführung von SI2307BDS-T1-GE3

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