SI2307BDS-T1-GE3
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SI2307BDS-T1-GE3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 78 mOhm @ 3.2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 750mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres | SI2307BDS-T1-GE3-ND SI2307BDS-T1-GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 33 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | P-Channel 30V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 5 pcs$0.096
- 50 pcs$0.079
- 150 pcs$0.07
- 500 pcs$0.064
- 3000 pcs$0.056
- 6000 pcs$0.054
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