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IRFB16N50K

IRFB16N50K
Electro-Films (EFI) / Vishay

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IRFB16N50K

FabricanteElectro-Films (EFI) / Vishay
DescriçãoMOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSContém chumbo / RoHS não compatível
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 350 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max) 280W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3
Outros nomes *IRFB16N50K
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2210pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 500V
Descrição detalhada N-Channel 500V 17A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)

Packaging Information

IRFB16N50K, SiHFB16N50K

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