IRFB16N50K
IRFB16N50K
Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrição | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Contém chumbo / RoHS não compatível |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220AB |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 350 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 280W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 |
Outros nomes | *IRFB16N50K |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 500V |
Descrição detalhada | N-Channel 500V 17A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
RFQ |
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