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IRFB16N50K

IRFB16N50K
Electro-Films (EFI) / Vishay

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IRFB16N50K

FabricantElectro-Films (EFI) / Vishay
La descriptionMOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSContient du plomb / Non conforme à RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max) 280W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms *IRFB16N50K
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2210pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V
Description détaillée N-Channel 500V 17A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)

Packaging Information

IRFB16N50K, SiHFB16N50K

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