IRFB16N50K
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IRFB16N50K
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220AB |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 350 mOhm @ 10A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 280W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | *IRFB16N50K |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 89nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción detallada | N-Channel 500V 17A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
| RFQ | |
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