IRFB16N50K
IRFB16N50K
fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrizione | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 350 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 280W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-220-3 |
Altri nomi | *IRFB16N50K |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 17A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
RFQ |
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