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IRFB16N50K

IRFB16N50K
Electro-Films (EFI) / Vishay

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IRFB16N50K

fabbricanteElectro-Films (EFI) / Vishay
DescrizioneMOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSContiene piombo / RoHS non conforme
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 350 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 280W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi *IRFB16N50K
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2210pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500V
Descrizione dettagliata N-Channel 500V 17A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)

Packaging Information

IRFB16N50K, SiHFB16N50K

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