IRFB16N50K
IRFB16N50K
Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 280W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Andere Namen | *IRFB16N50K |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 500V 17A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17A (Tc) |
RFQ |
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