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IRFB16N50K

IRFB16N50K
Electro-Films (EFI) / Vishay

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IRFB16N50K

メーカーElectro-Films (EFI) / Vishay
説明MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態リード/ RoHS非対応
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 350 mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大） 280W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3
他の名前 *IRFB16N50K
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2210pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 89nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 500V
詳細な説明 N-Channel 500V 17A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 17A (Tc)

Packaging Information

IRFB16N50K, SiHFB16N50K

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