NTMSD2P102LR2
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NTMSD2P102LR2
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descrição | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Contém chumbo / RoHS não compatível |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SOIC |
| Série | FETKY™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max) | 710mW (Ta) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes | NTMSD2P102LR2OS |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 16V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 2.5V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
| Descrição detalhada | P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| RFQ | |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 2500 pcs$0.518
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